Pekka
Laukkanen
dosentti, fysiikan ja tähtitieteen laitos
erikoistutkija, materiaalitutkimuksen laboratorio
tutkijatohtori, materiaalitutkimuksen laboratorio
yliopistotutkija, materiaalitutkimuksen laboratorio
Ota yhteyttä
Asiantuntijuusalueet
pintatiede
puolijohde
pinnan passivointi
ohutkalvot
Julkaisut
Polycrystalline silicon, a molecular dynamics study: I. Deposition and growth modes (2024)
Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä )
Polycrystalline silicon, a molecular dynamics study: II. Grains, grain boundaries and their structure (2024)
Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä )
Bridging the gap between surface physics and photonics (2024)
Reports on Progress in Physics
(A2 Vertaisarvioitu katsausartikkeli tieteellisessä lehdessä)
Dry cleaning of InSb surfaces by hydrogen molecule exposure in ultrahigh vacuum (2024)
Applied Surface Science
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä )
Surface Passivation of Germanium with ALD Al2O3: Impact of Composition and Crystallinity of GeOx Interlayer (2023)
Crystals
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä )
Reversible oxygen-driven c(4 x 4) ↔ (1 x 2) phase transition on the Ba/Ge (100) surface (2023)
Applied Surface Science
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Quantifying the Impact of Al Deposition Method on Underlying Al2O3/Si Interface Quality (2023)
physica status solidi (a)
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Effects of Ultrahigh Vacuum Treatments on Wet Chemically Cleaned Si Surfaces (2023)
Ultra Clean Processing of Semiconductor Surfaces, Solid State Phenomena
(Vertaisarvioitu artikkeli konferenssijulkaisussa (A4))
Efficient surface passivation of germanium nanostructures with 1% reflectance (2023)
Nanotechnology
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Plasma-enhanced atomic layer deposited SiO2 enables positive thin film charge and surface recombination velocity of 1.3 cm/s on germanium (2023)
Applied Physics Letters
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))