Pekka
Laukkanen
yliopistotutkija, materiaalitutkimuksen laboratorio
dosentti, fysiikan ja tähtitieteen laitos
Ota yhteyttä
Asiantuntijuusalueet
pintatiede
puolijohde
pinnan passivointi
ohutkalvot
Julkaisut
Oxidized In-containing III-V(100) surfaces: Formation of crystalline oxide films and semiconductor-oxide interfaces (2011)
Physical Review B
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Tin stabilized (1×2) and (1×4) reconstructions on GaAs(100) and InAs(100) studied by scanning tunneling microscopy, photoelectron spectroscopy, and ab initio calculations (2011)
Surface Science
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Properties of the SiO2- and SiNx- capped GaAs(100) surfaces of GaInAsN/GaAs quantum-well heterostructures studied by photoelectron spectroscopy and photoluminescence (2011)
Applied Physics Letters
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Properties of self-assembled Bi nanolines on InAs(100) studied by core-level and valence-band photoemission, and first-principles calculations (2011)
Physical Review B
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Dimer-T3 reconstruction of the Sm/Si(100)(2x3) surface studied by high-resolution photoelectron spectroscopy and density functional theory calculations (2011)
Physical Review B
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Ultrathin (1x2)-Sn layer on GaAs(100) and InAs(100) substrates: A catalyst for removal of amorphous surface oxides (2011)
Applied Physics Letters
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Ab initio and scanning tunneling microscopy study of an indium-terminated GaAs(100) surface: An indium-induced surface reconstruction change in the c(8x2) structure (2010)
Physical Review B
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Metamorphic growth of tensile strained GaInP on GaAs substrate (2010)
Journal of Crystal Growth
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Contactless electroreflectance study of band bending in Be-doped GaInNAs/GaAs quantum wells: The origin of the enhancement of photoluminescence (2010)
Applied Physics Letters
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Effects of (NH4)2S and NH4OH surface treatments prior to SiO2 capping on 1.3: GaInAsN/GaAs quantum well structures (2010)
Applied Physics Letters
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))