Pekka
Laukkanen
dosentti, fysiikan ja tähtitieteen laitos
erikoistutkija, materiaalitutkimuksen laboratorio
tutkijatohtori, materiaalitutkimuksen laboratorio
yliopistotutkija, materiaalitutkimuksen laboratorio
Ota yhteyttä
Asiantuntijuusalueet
pintatiede
puolijohde
pinnan passivointi
ohutkalvot
Julkaisut
Surface structure of bismuth terminated GaAs surfaces grown with molecular beam epitaxy (2012)
Surface Science
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
The role of MBE growth temperature (2012)
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))Tin stabilized (1×2) and (1×4) reconstructions on GaAs(100) and InAs(100) studied by scanning tunneling microscopy, photoelectron spectroscopy, and ab initio calculations (2011)
Surface Science
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Properties of the SiO2- and SiNx- capped GaAs(100) surfaces of GaInAsN/GaAs quantum-well heterostructures studied by photoelectron spectroscopy and photoluminescence (2011)
Applied Physics Letters
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Dimer-T3 reconstruction of the Sm/Si(100)(2x3) surface studied by high-resolution photoelectron spectroscopy and density functional theory calculations (2011)
Physical Review B
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Ultrathin (1x2)-Sn layer on GaAs(100) and InAs(100) substrates: A catalyst for removal of amorphous surface oxides (2011)
Applied Physics Letters
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Properties of self-assembled Bi nanolines on InAs(100) studied by core-level and valence-band photoemission, and first-principles calculations (2011)
Physical Review B
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Surface core-level shifts on Ge(111)c(2x8): Experiment and theory (2011)
Physical Review B
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Oxidized In-containing III-V(100) surfaces: Formation of crystalline oxide films and semiconductor-oxide interfaces (2011)
Physical Review B
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Effects of (NH4)2S and NH4OH surface treatments prior to SiO2 capping on 1.3: GaInAsN/GaAs quantum well structures (2010)
Applied Physics Letters
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))