Pekka
Laukkanen
dosentti, fysiikan ja tähtitieteen laitos
erikoistutkija, materiaalitutkimuksen laboratorio
tutkijatohtori, materiaalitutkimuksen laboratorio
yliopistotutkija, materiaalitutkimuksen laboratorio
Ota yhteyttä
Asiantuntijuusalueet
pintatiede
puolijohde
pinnan passivointi
ohutkalvot
Julkaisut
Effects of (NH4)2S and NH4OH surface treatments prior to SiO2 capping on 1.3: GaInAsN/GaAs quantum well structures (2010)
Applied Physics Letters
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Atomic structure of Yb/Si(100)(2x6): Interrelation between the silicon dimer arrangement and Si 2p photoemission line shape (2010)
Physical Review B
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Metamorphic growth of tensile strained GaInP on GaAs substrate (2010)
Journal of Crystal Growth
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Stability, structural, and electronic properties of atomic chains on Yb/Ge(111)3X2 studied by STM and STS (2010)
Physical Review B
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Contactless electroreflectance study of band bending in Be-doped GaInNAs/GaAs quantum wells: The origin of the enhancement of photoluminescence (2010)
Applied Physics Letters
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Core-level shifts of the c(8x2)-reconstructed InAs(100) and InSb(100) surfaces (2010)
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Ab initio and scanning tunneling microscopy study of an indium-terminated GaAs(100) surface: An indium-induced surface reconstruction change in the c(8x2) structure (2010)
Physical Review B
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Picosecond pulse laser ablation of yttria-stabilized zirconia from kilohertz to megahertz repetition rates (2010)
Applied Physics A
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Annealing of self-assembled InAs/GaAs quantum dots: a stabilizing effect of beryllium doping (2009)
Applied Physics Letters
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Stability of rare earth metal atom induced (2x3) reconstructions on Si(100) surface (2009)
Physical Review B
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))