Pekka
Laukkanen
yliopistotutkija, materiaalitutkimuksen laboratorio
dosentti, fysiikan ja tähtitieteen laitos
Ota yhteyttä
Asiantuntijuusalueet
pintatiede
puolijohde
pinnan passivointi
ohutkalvot
Julkaisut
Effects of (NH4)2S and NH4OH surface treatments prior to SiO2 capping on 1.3: GaInAsN/GaAs quantum well structures (2010)
Applied Physics Letters
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Stability, structural, and electronic properties of atomic chains on Yb/Ge(111)3X2 studied by STM and STS (2010)
Physical Review B
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Bismuth-stabilized c(2x6) reconstruction on a InSb(100) substrate: Violation of the electron counting model (2010)
Physical Review B
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Atomic structure of Yb/Si(100)(2x6): Interrelation between the silicon dimer arrangement and Si 2p photoemission line shape (2010)
Physical Review B
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Picosecond pulse laser ablation of yttria-stabilized zirconia from kilohertz to megahertz repetition rates (2010)
Applied Physics A
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Stability of rare earth metal atom induced (2x3) reconstructions on Si(100) surface (2009)
Physical Review B
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Ytterbium on vicinal Si(100): Growth and properties of the 2D wetting layer and the Yb silicide phase (2009)
Surface Science
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Core-level shifts of InP(100)(2x4) surface: Theory and experiment (2009)
Surface Science
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
The influence of As/III pressure ratio on nitrogen nearest-neighbor environments in as-grown GaInNAs quantum wells (2009)
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))Annealing of self-assembled InAs/GaAs quantum dots: a stabilizing effect of beryllium doping (2009)
Applied Physics Letters
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))