Juha-Pekka
Lehtiö
väitöskirjatutkija, fysiikan ja tähtitieteen laitos
Ota yhteyttä
Julkaisut
Controlling the fixed negative charge formation in Si/high-k interfaces (2022)
Physical Review Materials
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
The structural origin of the efficient photochromism in natural minerals (2022)
Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä )
Atomic-Scale Modification of Oxidation Phenomena on the Ge(100) Surface by Si Alloying (2021)
ACS Materials Au
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Atomic and electronic structures of Si/Ge(100) interfaces studied by high-resolution photoelectron spectroscopy and scanning tunneling microscopy (2021)
Physical Review B
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Black silicon boron emitter solar cells with EQE above 95% in UV (2021)
IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Conference Record IEEE Photovoltaic Specialists Conference
(Vertaisarvioitu artikkeli konferenssijulkaisussa (A4))
Observation of Si 2p Core‐Level Shift in Si/High‐κ Dielectric Interfaces Containing a Negative Charge (2021)
Advanced Electronic Materials
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Stabilization of unstable and metastable InP native oxide thin films by interface effects (2021)
Applied Surface Science
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Evidence for the Eu 4f Character of Conduction-Band Edge at the Eu2O3 Surface Studied by Scanning Tunneling Spectroscopy (2021)
Surface Science
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Dimer-vacancy defects on Si(1 0 0): The role of nickel impurity (2020)
Applied Surface Science
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Decreasing Interface Defect Densities via Silicon Oxide Passivation at Temperatures Below 450 degrees C (2020)
ACS Applied Materials and Interfaces
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))