Juha-Pekka
Lehtiö
Doctoral Researcher, Department of Physics and Astronomy
Contact
Publications
Effects of thermal vacuum nitridation of Si(100) surface via NH3 exposure (2022)
Thin Solid Films
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Effects of post oxidation of SiO2/Si interfaces in ultrahigh vacuum below 450 °C (2022)
Vacuum
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Observation of Si 2p Core‐Level Shift in Si/High‐κ Dielectric Interfaces Containing a Negative Charge (2021)
Advanced Electronic Materials
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Stabilization of unstable and metastable InP native oxide thin films by interface effects (2021)
Applied Surface Science
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Evidence for the Eu 4f Character of Conduction-Band Edge at the Eu2O3 Surface Studied by Scanning Tunneling Spectroscopy (2021)
Surface Science
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Atomic-Scale Modification of Oxidation Phenomena on the Ge(100) Surface by Si Alloying (2021)
ACS Materials Au
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Atomic and electronic structures of Si/Ge(100) interfaces studied by high-resolution photoelectron spectroscopy and scanning tunneling microscopy (2021)
Physical Review B
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Black silicon boron emitter solar cells with EQE above 95% in UV (2021)
IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Conference Record IEEE Photovoltaic Specialists Conference
(Vertaisarvioitu artikkeli konferenssijulkaisussa (A4))
Dimer-vacancy defects on Si(1 0 0): The role of nickel impurity (2020)
Applied Surface Science
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Decreasing Interface Defect Densities via Silicon Oxide Passivation at Temperatures Below 450 degrees C (2020)
ACS Applied Materials and Interfaces
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))