Johnny Dahl

Properties of the SiO2- and SiNx- capped GaAs(100) surfaces of GaInAsN/GaAs quantum-well heterostructures studied by photoelectron spectroscopy and photoluminescence (2011)

Applied Physics Letters

Dahl Johnny, Polojärvi Ville, Salmi Joel, Laukkanen Pekka, Guina Mircea

(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))

Dimer-T3 reconstruction of the Sm/Si(100)(2x3) surface studied by high-resolution photoelectron spectroscopy and density functional theory calculations (2011)

Physical Review B

M Kuzmin, M P J Punkkinen, P Laukkanen, J Lång, J Dahl, M Tuominen, V Tuominen, J Adell, T Balasubramanian, L Vitos, K Kokko

(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))

Ultrathin (1x2)-Sn layer on GaAs(100) and InAs(100) substrates: A catalyst for removal of amorphous surface oxides (2011)

Applied Physics Letters

Laukkanen Pekka, Punkkinen Marko, Lång Jouko, Tuominen Marjukka, Kuzmin Mikhail, Tuominen Veikko, Dahl Johnny, Adell Johan, Sadowski Janusz, Kanski Janusz, Polojärvi Ville, Pakarinen Janne, Kokko Kalevi, Guina Mircea, Pessa Markus, Väyrynen Juhani

(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))

Surface core-level shifts on Ge(111)c(2x8): Experiment and theory (2011)

Physical Review B

M Kuzmin, M P J Punkkinen, P Laukkanen, J J K Lång, J Dahl, V Tuominen, M Tuominen, R E Perälä, T Balasubramanian, J Adell, B Johansson, L Vitos, K Kokko, I J Väyrynen

(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))

Oxidized In-containing III-V(100) surfaces: Formation of crystalline oxide films and semiconductor-oxide interfaces (2011)

Physical Review B

M P J Punkkinen, P Laukkanen, J Lång, M Kuzmin, M Tuominen, V Tuominen, J Dahl, M Pessa, M Guina, K Kokko, J Sadowski, B Johansson, I J Väyrynen, L Vitos

(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))

Atomic structure of Yb/Si(100)(2x6): Interrelation between the silicon dimer arrangement and Si 2p photoemission line shape (2010)

Physical Review B

Kuzmin M, Punkkinen M P J, Laukkanen P, Perälä R E, Tuominen V, Lång J J K, Ahola-Tuomi M, Dahl J, Balasubramanian T, Johansson B, Vitos L, Väyrynen I J

(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))

Ota yhteyttä

Julkaisut

Järjestä:

Properties of the SiO2- and SiNx- capped GaAs(100) surfaces of GaInAsN/GaAs quantum-well heterostructures studied by photoelectron spectroscopy and photoluminescence (2011)

Dimer-T3 reconstruction of the Sm/Si(100)(2x3) surface studied by high-resolution photoelectron spectroscopy and density functional theory calculations (2011)

Ultrathin (1x2)-Sn layer on GaAs(100) and InAs(100) substrates: A catalyst for removal of amorphous surface oxides (2011)

Surface core-level shifts on Ge(111)c(2x8): Experiment and theory (2011)

Oxidized In-containing III-V(100) surfaces: Formation of crystalline oxide films and semiconductor-oxide interfaces (2011)

Atomic structure of Yb/Si(100)(2x6): Interrelation between the silicon dimer arrangement and Si 2p photoemission line shape (2010)