Alejandro
Schulman
Wihuri Physical Laboratory
Postdoctoral Researcher
Contact
Links
Publications
Importance of growth method and substrate-induced crystalline quality in Al/Gd0.2Ca0.8MnO3/Au memristor devices (2024)
Journal of Physics D: Applied Physics
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä )
The effect of substrate-induced defects on structural and resistive switching properties in Gd0.2Ca0.8MnO3 thin films (2024)
AIP Advances
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä )
Bioplausible Synaptic Behavior of Al/Gd0.3Ca0.7MnO3/Au Memristive Devices for Unsupervised Spiking Neural Networks (2024)
ACS applied electronic materials
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Structurally simplified GCMO crossbar design for artificial synaptic networks (2024)
Applied Physics Letters
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä )
Bipolar Resistive Switching in 2D MoSe2 Grown by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition (2023)
ACS Applied Materials and Interfaces
(A1 Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tieteellisessä lehdessä )
Increased Curie temperature and magnetoresistive response by modifying Fe/Mo ratio in Sr2FeMoO6 thin films (2022)
Journal of Magnetism and Magnetic Materials
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Manipulating magnetic and magnetoresistive properties by oxygen vacancy complexes in GCMO thin films (2022)
Journal of Physics: Condensed Matter
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Compact Modeling and SPICE Simulation of GCMO-Based Resistive Switching Devices (2022)
IEEE Transactions on Nanotechnology
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Tuned AFM-FM coupling by the formation of vacancy complex in Gd0.6Ca0.4MnO3 thin film lattice (2021)
Journal of Physics: Condensed Matter
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))
Electron Doping Effect in the Resistive Switching Properties of Al/Gd 1- x Ca x MnO 3/Au Memristor Devices (2021)
ACS Applied Materials and Interfaces
(Vertaisarvioitu alkuperäisartikkeli tai data-artikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä (A1))